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47年来DRAM芯片市场的生死搏杀,韩龙头企业面临

文章作者:金沙国际唯一官网 上传时间:2019-08-31

原标题:打响反击第一枪!又一行业将被我国颠覆,韩龙头企业面临地动山摇

这张照片展示了一堆古董内存。从上到下是:采用三星颗粒的两根32M 72针DRAM内存,韩国生产。中间是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM内存。最下面是采用英飞凌颗粒的64M PC133 SDRAM内存,葡萄牙生产。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集团的内存品牌。赫克松成立于1989年,是德国英飞凌和日本尔必达的亚太区总代理,因此采购两家的DRAM颗粒,到新加坡组装成内存条,然后销售到中国大陆,靠价格低廉取胜。不过时至今日,德国英飞凌(奇梦达)和日本尔必达,都已经破产倒闭。只剩下了韩国三星独霸江湖。

据了解,2016年中国存储市场172亿人民币,预计到2017年达到203亿,2016~2020年年复合增长率将为20.1%。当前半导体产业国内厂商享有国产替代的巨大增长空间,存储器需求强劲,国内存储器产业陆续启动重大项目,如长江存储投资240亿美元、紫光集团投资300亿美元建存储器基地,项目建设将推动国内半导体存储设备及材料产业发展。

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众所周知,在半导体存储领域,韩国三星、海力士、美国镁光、日本东芝一直称霸全球市场。其中在NAND闪存方面,三星、东芝、镁光和海力士四家占据了全球超过90%的市场;在DRAM内存方面,三星44.5%、SK海力士27.9%、镁光22.9%,三家公司加一起占据了全球市场份额的95%以上。

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三星靠存储或将超越半导体龙头英特尔

壬辰倭乱-万历朝鲜战争 中朝联合对日

2015年10月,被誉为“台湾DRAM教父”的高启全加入紫光集团担任全球执行副总裁,具体负责存储器事业。在当时高启全就提出改变全球存储格局的豪言。而现在,他的理想又更加迈进了一步。

过去几年,全球半导体存储市场价格上涨十分迅速,几乎达到了每一个月一个价,媒体给出的解释是因为内存原料价格上涨,以及市场上对于内存的需求增长过快,导致供不应求,最终致使内存的价格快速上涨。固有这两个原因都是现实存在,但背后几家垄断企业未尝没有推波助澜。

DRAM是动态随机存储器的意思,也就是电脑内存。对于今天的消费者来说,电脑内存只是些绿色的小条条,售价不过几百元。然而这些小玩意,却走过了长达120年的复杂演进历史。从百年前的穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到半导体晶体管DRAM内存。人们已经很难想象,一个电冰箱大小的计算机存储器,只能存储几K数据,售价却高达几万美元。在中国市场,1994年的时候,一根4M内存售价1400元,相当于两个月工资。1999年台湾921大地震,在北京中关村,一根64M SDRAM内存条,价格可以在几天内,从500元暴涨到1600元。

Intel凭借在PC和服务器芯片市场所拥有的优势市场地位一直都是全球最大的半导体企业,不过这几年开始受到三星的挑战,后者主要是依靠在存储芯片市场所占有的优势市场地位不断提高它的半导体业务收入。

2012年2月3日,全球著名内存生产厂商镁光科技的CEO史蒂夫·阿普尔顿(Steve Appleton),在美国爱达荷州的波伊西(Boise)的一个航空展上,驾驶着一架Lancair

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内存价格的大幅上涨,我国作为消耗大国,在价格方面没有关键话语权的情况下,自然成为了这一轮涨价潮的最直接“受害者”。

自1970年,美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来,已经过去47年。DRAM内存芯片市场,累计创造了超过1万亿美元产值($1000,000,000,000美元)。企业间掺杂着你死我活的生死搏杀。美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手,怀揣巨额筹码,高高兴兴地走进来,却在输光光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地。就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM,也分别在1986年、1998年和1999年,凄惨地退出了DRAM市场。目前,只有韩国三星和海力士,占据绝对垄断地位,在DRAM市场呼风唤雨,赚得盆满钵满。

早在数年前业界就预计三星将超越Intel成为全球最大的半导体企业,而去年至今的存储芯片价格上升加快了这一速度。

IV-PT螺旋桨飞机,给观众们做表演。起飞后不久,飞机失去控制,紧急降落失败,直接栽向地面,当场坠毁,CEO享年51岁。

2019年6月30日,紫光集团发布声明正式成立紫光集团DRAM事业群,并委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长,委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。虽然公告只有简短的一句话,但也透露出紫光集团布局存储行业的决心。

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从美国到韩国,这个巨大的转变,背后隐藏着半个世纪以来,那些不为人知的经济战争,足以载入经济学教科书。把欧美和中国,那些冒牌经济学家,极力鼓吹的“自由市场经济”论调,彻底扫进垃圾堆。

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喜欢玩心跳的CEO挂了,镁光股价倒是没怎么跌,大洋彼岸的一个叫坂本幸雄(Yukio Sakamoto)的日本人却急得如热锅上的蚂蚁。在上飞机前,阿普尔顿刚刚跟他谈完一份儿秘密协议,对于坂本幸雄担任社长的日本内存巨头尔必达来说,这份协议就是就保命书。

“DRAM之父”的阶段任务

为了争得国际价格话语权,保证国家内存供需安全,我国在DRAM和NAND研发建设上陡然加大了投入力度。

——这是一场真正的经济战争,国与国之间的生死较量,惨烈程度远超液晶战争。

据IC Insights在去年11月发布的数据,其估计2016年Intel的营收为563.13亿美元,三星的半导体业务营收为435.35亿美元,双方的营收差距只有29.4%。

尔必达是日本芯片行业的“国家队”,由日立、NEC和三菱的内存制造业务合并而成,一度风光无限。但08年金融危机之后,内存行业过剩,产品价格不断下跌,加上韩国厂商的挤压,尔必达经营不断恶化。尽管日本政府多次救助,仍然无法挽救,到了2011年底,尔必达已经积累了天量的负债和亏损。

目前,市场上主流的存储器为DRAM存储器和Flash闪存芯片,而Flash闪存芯片又主要分为NOR和NAND两种。从布局来看,紫光集团在早在2015年就提出230亿美元收购美光科技的计划,但最终没有获美国政府批准。

2014年被称为我国半导体“元年”,正是在这一年,由十几位院士专家联合上书中央,建议国家倾力支持半导体发展,最终获得了积极的回复。很快规模达千亿的国家级基金挂牌成立,大量资金涌入半导体行业,为我国三大存储厂商“紫光集团、长江存储、合肥长鑫”的诞生与发展提供了极大的动力。

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去年以来存储芯片价格持续上涨,主要是因为手机和电脑等产品纷纷加大存储容量导致市场出现严重的缺货现象,据市场数据显示,仅仅是2016年四季度DDRAM涨幅达18%,创18个月来新高;NAND Flash涨幅超过四分之一,这种缺货现象预计将延续到今年底,因为当前Android手机将继续加大内存和存储容量,而全球第二大手机企业苹果今年也将进一步提升其iPhone8的内存和存储容量。

全世界的银行都喜欢晴天借伞雨天收伞。尔必达债主一堆,纷纷抽贷,政府背景的日本政策投资银行出面协调,提出了给予续贷和注资的唯一条件,就是在2012年2月底之前,引入一家大型内存厂商做战略股东,否则只能撒手不管。而当时有这个资格接盘的已经剩不到几家,抛开死敌韩国人之外,只剩镁光。

但在这一过程中,紫光集团董事长赵伟国在与高启全接触之后,双方对于全球存储产业的方向和想法一拍即合,这才有了文章开头所讲的“DRAM教父”投身紫光集团。

近日,经过数年的苦心研发,我们终于打响了反击的第一枪!国内媒体报道在DRAM内存芯片上,我国三大国产储存厂商已经完成布局,紫光、长江、长鑫将于今年年底之前开始试生产,最晚明年就会形成一定的产能规模。

1949年,美国哈佛大学实验室的王安博士,发明磁芯存储器。这种古老的存储器一直使用到1970年代。直至被英特尔批量生产的DRAM内存淘汰。

三星是全球最大的存储芯片企业,其占有NAND Flash市场近四成的市场份额,而DRAM市场更占有高达47.5%的市场份额,因此其称为2016年至今的存储芯片价格上涨的最大受益者,并推动其去年四季度在召回galaxy note7造成高达50亿美元的损失情况下,净利润反而暴涨五成!

坂本幸雄跟史蒂夫·阿普尔顿谈了几个月,关键条款都已经谈成了,结果天雷滚滚,在离deadline仅剩下二十多天的时候,喜欢赛车、跳伞、飚飞机、水肺潜水的阿普尔顿求锤得锤,入股的事情则无限期推迟,根本没有plan B的坂本幸雄欲哭无泪。2012年2月27号,尔必达宣布破产。

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在叙述这场经济战争前,我们先从总体上,了解一下DRAM内存产业的脉络和现状。

相比之下,Intel所在的PC芯片市场,则由于AMD和ARM架构处理器的竞争,价格逐渐下滑,预计今年下半年其PC芯片价格会进一步下降,近期其主要的盟友微软也将发布采用ARM架构处理器的Surface CloudBook,将支持完整版的Windows,这对于Intel更是一个重大的打击。

一个产业的运数,跟所谓国运一样,往往都带着些诡异的偶然性。

高启全

不过就在这时候,国际上却传来了不利的消息。据外媒报道,因客户需求放缓DRAM内存及NAND闪存价格将在2019年上半年开始下滑。目前,暂时不知到底是真的因为需求放缓导致供过于求格下滑,还是其他原因。不过,不论是何种情况,对于我们来说都不怕。

电脑存储器的发明者,几乎都来自计算机巨头——美国IBM公司。IBM的历史最早可追溯到1890年代。美国统计学家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表机,采用在卡纸上打孔的方式,记录统计数据。1890年,美国进行第12次人口普查时,便大量采用这种机器。直到1930年代,IBM每年仍要销售上千万张穿孔纸卡。

内存涨价几时休?

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对于高启全而言,其被认为是华人在全球DRAM界最资深的人士之一。从1980年起,高启全便在半导体及DRAM领域从业,先后在美国仙童半导体、英特尔等公司任职。1987年高启全加入台积电任一厂厂长,后创办旺宏电子,高启全还曾任台湾地区DRAM公司南亚科技总经理、华亚科技董事长等职务。

在DRAM内存领域,80年代时,国际上还有40-50位玩家,但后来经过一段兼并后,到达2008年金融危机时,已经只剩下5家:韩国三星、SK海力士、美国镁光、德国奇梦达、日本尔必达。

1932年,IBM公司的奥地利裔工程师古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),发明了第一种被广泛使用的计算机存储器,称为“磁鼓存储器”。直到1950年代,磁鼓依然是大型计算机的主要存储方式。1956年,IBM公司购买了中国人王安博士(上海人),拥有的“磁芯存储器”专利。磁芯存储一直使用至1970年代。1966年,IBM公司的研究人员,罗伯特·登纳德博士,发明了半导体晶体管DRAM内存,并在1968年获得专利。

近日,小米、魅族、乐视等多家手机厂商相继宣布为其手机产品调价,涨幅从几十元到近千元不等。其中,华为最近推出的P10手机与前代机型P9相比涨了近千元。

尔必达破产的2012年,对日本制造来说,是个倒霉的年份。这一年,日本的电子产业全线崩溃。首先,半导体领域除了尔必达破产之外,另外一家巨头瑞萨也陷入危机;其次是松下、索尼、夏普三大巨头的亏损总额达到了创纪录的1.6万亿日元;最后是整体电子产业的产值,只有12万亿日元左右,还不到2000年时(26万亿)的一半。

从过往的经历来看,高启全显然在DRAM存储方面具有更加丰富的经验,但在加入紫光集团之后,反而是长江存储的NANDFLASH更加为人所知。据DRAMeXchange预测,今年年底前长江存储将正式量产64层Xtacking 3D NAND产品。

其后三星在韩国政府输血、SK海力士配合下,通过“反周期定律”,即在价格低迷全球各企业纷纷降低产能时,逆势扩大产能,进一步将价格往下压,逼对手不得不放弃这一行或者资不抵债宣布破产。最终在2009年初,因为DRAM价格已经抵不上材料成本,及金融危机的影响,德国奇梦达最先支撑不住选择申请破产。

然后,1970年美国英特尔,依靠批量生产DRAM大获成功,逼死了磁芯存储器。1976年日本厂商进攻DRAM市场后,差点将英特尔逼死。1985年美国发动经济战争,扶植韩国厂商进攻DRAM产业,又将日本厂商逼死。1997年美国发动亚洲金融风暴,差点将韩国厂商逼死。美国控制韩国经济后,韩国厂商又借着DRAM市场的暴利翻身崛起。此时不怕死的台湾人冲进DRAM市场,投入500亿美元却亏得血本无归。2007年全球经济危机,逼死了德国厂商,并将台湾DRAM厂商打翻在地,狠踩两脚。2017年,不怕死的中国大陆厂商冲了进来,准备投资660亿美元,进攻DRAM市场。

而在此期间,存储芯片也迎来了一波“涨价潮”。根据研调机构WSTS及IC Insight统计,今年第1季DRAM(动态随机存储器)报价较去年第4季上涨26%,更较去年同期成长45%,至于NAND Flash(资料储存型闪存)报价首季报价季增8%,年增率也高达4成之多。而手机内存中,普通的8G DDR4内存从200元直接翻了一倍到目前的400元以上,DDR3内存的价格也跟着水涨船高,将近翻了一番。

日本“失去的十年”,通常是指1991年泡沫破灭之后的十年。但从91年开始,日本的两个产业却仍然逆势而上,是泡沫破灭之后支撑日元汇率和外汇储备的关键。这两个产业,一个是汽车,一个是电子。1991年NHK特意做了一期节目,叫做《电子立国—日本的自传》,将电子和汽车行业并列,把索尼松下等公司摆出来历数家珍,得意之情溢于言表。

另外,DRAMeXchange也表示,今年第一季度长江存储已送样给部分客户及控制器厂商,初期着重国内市场销售,且已完成武汉厂的建设,并小量投产32层产品,待64层正式量产后,产能扩张将转趋积极。

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有人说,中国人疯了。

对于不断上涨的内存价格,易观媒介入口分析师赵子明对《中国经营报》记者称:“主要还是产能不足,出货量跟不上需求导致存储芯片价格上涨。”市场研究公司IHS预计,明年NAND闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元,高于今年的5.7%增速。

2000年是一个分水岭。在这一年,汽车和电子的产值仍然势均力敌,之后两者分道扬镳。汽车行业继续出海征战,丰田本田日产在全球的地位稳步上升。但电子产业则每况愈下,不仅产值在10年之间就减少一半,2013年更是出现了贸易逆差,曾经无比强大的日本电子产业,出口额竟然少于进口额,令人难以想象。

在之前的采访中,高启全也表示:“长江存储的64层3D NAND FLASH是完全独立自主研发。未来,64层3D NAND FLASH才是长江存储的主力产品之一。长江存储希望到2023年左右在全球市场中获得20%的占有率,未来10年内在技术和市占率要达到全球一流水准。”

2012年初,日本尔必达也扛不住选择了破产,至此日本彻底退出了DRAM内存领域;而在NAND闪存领域虽然还有东芝,但其现在却是到处在兜售自己的业务,能撑多久还是未知数。论述以举国之力扶持一个领域,从积弱到反超最终称霸世界,韩国半导体产业给我们乃至世界都上了一堂生动的课。

我说没疯,因为中国——做为世界第一大电子产品制造国,居然90%以上的内存靠进口,剩下那部分,居然连国产的产量,都控制在韩国企业手里。

近期的华为“P10闪存门”更是凸显了存储芯片产能紧张的问题。在华为公布的信息中,P10款手机将使用UFS2.1闪存,能达到800MB/s的读写速度。但随着2017年上半年新手机的不断发布,华为从供应商拿到的UFS2.1规格闪存开始减少。为了保证供应,华为不得不采用了多种规格闪存共用,而这也成为“闪存门”爆发的根本原因。

但是,尔必达的破产,除了跟日本制造大环境有关外,主要的原因还是来自于过山车式的内存价格波动。电子产品通常给人的印象是每年都会降价,每年花同样的钱,可以买更好的东西。但内存行业却清新脱俗,价格走势跟化工品类似,强周期性,大起大落,涨起价来数钱数的全身颤抖,杀起价来丧心病狂连自己都往死里砍。

从3D NAND FLASH产品进程来看,长江存储在技术研发及量产方面已经走上正轨,这也意味着高启全完成了其第一阶段的使命。而其下一步,自然就是存储领域另一大产品类别——DRAM存储。

但要说以这种方式打价格战,我国也并不怂。以液晶面板为例,前几年,韩国和宝岛方面的三星、LG、友达等厂商,就被我们打的丢盔弃甲,最后我国用财政、基础设施配套、土地等补贴将我国液晶面板推上了世界先进行列,其中京东方就是最杰出的代表。

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“目前国内手机几乎都在上DDR4,需求量大,但受限于供应链产能,内存价格一涨再涨。”赵子明进一步推测道,“涨势可能不会持续太久,但价格应该会保持高位。上涨态势可能会保持到2018年乃至2019年。”

强周期性行业,通常都会有这么几个特点:

实际上,紫光集团在DRAM存储方面也是早有规划。其中,紫光旗下西安紫光国芯将成为DRAM布局的技术核心,而长江存储和武汉新芯将在研发及生产方面扮演重要角色。

随着我国“紫光集团、长江存储、合肥长鑫”三家存储厂商崛起,必然能复制液晶面板的例子,再次颠覆一个行业。

2015年,韩国三星电子投资136亿美元(15.6万亿韩元),在韩国京畿道平泽市,建设12寸晶圆DRAM厂(Fab18)。该项目占地2.89平方公里,总产能预计将达到每月45万片晶圆,其中3D NAND闪存芯片将占据一半以上。主要生产第四代64层堆叠3D NAND闪存芯片。2017年7月4日三星宣布该厂投产。

而市场调研机构TrendForce旗下部门集邦科技的报告也显示,存储芯片供不应求的状况越来越严重。2017年第一季度全球PC内存的合约价可能会环比暴涨接近40%,而且第二季度仍将继续上涨。

1.产品标准化程度高,用户粘性弱,谁的便宜买谁的;

对紫光国芯而言,其技术源自德国DRAM大厂奇梦达于2003年在西安成立的研发中心,由紫光集团2015年收购所得,并研发出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品。其开发的存储器芯片产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4,其中二十余款产品实现全球量产和销售。

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行业高度垄断——韩国三星独占鳌头

在目前的存储芯片市场中,三星、镁光、海力士、东芝和闪迪5家外资企业占据了90%以上的市场份额。集邦科技指出,虽然内存厂商已经开始着手扩充产能,但都非常保守。其中,三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂商皆以提高新制程比例增加产出为主,并未大幅扩张新产能。

  1. 行业具备规模效应,大规模生产能够有效摊低成本;

另外,紫光国芯存储器模组产品包括服务器内存模组、笔记本内存模组和台式机内存模组,四十余款模组产品实现全球量产和销售。同时,紫光国芯还开发有包括GDDR6等相关的存储器controler 和PHY IP核,并在大带宽存储器、近存/存内计算存储器、嵌入式存储SRAM和新型存储器RRAM领域进行了研发和布局。

有韩国媒体日前就报道称,韩国的半导体从2012年3月开始连续77个月实现顺差的经常收支,报道称若韩国半导体事业坍塌,韩国经济的整体将会被动摇。毕竟韩国三星、现代、SK、乐天、LG五大巨头集团占整个国家GDP接近60%,而半导体内存目前已经占到了三星和SK收入的一半以上,一旦被中国颠覆现状,韩国的龙头企业必将面临地动山摇。

我们来看看市场情况,就知道中国为什么非要进攻DRAM市场了。半导体存储器主要应用于台式电脑、笔记本电脑、手机、平板电脑、固态硬盘、闪存等领域,包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大类。2015年全球半导体存储器销售总额达772亿美元。在全球3352亿美元的集成电路产业中,占据23%的份额,是极为重要的产业核心部件。

“至少要到今年下半年才会对市场产生真正影响。”赵子明续称。数据显示,海力士第一季度的内存芯片出货量只增长了5%,而NAND闪存芯片出货量同比下降了15%。

3.重资产,折旧巨大,一旦投产没法停,亏本也要硬着头皮生产,起码还有现金流;

从布局上来看,此次紫光集团DRAM事业群的成立,将更加有利于国产DRAM存储产品的开发,也是紫光集团补齐存储版图的重要一步。

所以,随着我国内存厂商在技术和生产上逐步赶上来,韩国自然需要着急了!

其中DRAM内存主要用于台式电脑、笔记本电脑,全球市场规模约420亿美元,目前被韩国三星、海力士和美国镁光三家垄断,占据90%以上的份额。从1992年以来,韩国三星在DRAM市场已经连续25年蝉联世界第一,占据绝对垄断地位,市占率超过60%。似乎无人可以撼动它的地位。

对于内存厂商的做法,赵子明并不意外。在他看来,虽然海力士的内存出货量只提升5%,闪存出货量下降,但两者的平均价格分别增长了24%和15%,涨价可以平抑因出货量下降带来的损失。

4.行业格局尚不稳定,没有价格同盟,涨价时厂商都想疯狂扩产搞死对手,低谷时通过破产兼并来实现去产能。内存符合上述全部特点。

全球存储市场将如何变局?

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NAND Flash闪存主要用于手机存储、平板电脑、SSD固态硬盘、大容量闪存,全球市场规模约300亿美元,垄断形势更加严重。韩国三星、海力士、美国镁光、英特尔、闪迪、日本东芝六家厂商,垄断了全球99%的产量。其中仅三星、海力士、东芝三家,就占了80%以上的份额。NOR Flash闪存属于小众产品,主要用于16M以下的小容量闪存,全球市场规模只有30亿美元,由美国镁光、韩国三星、台湾旺宏、华邦、中国大陆的兆易创新等7家企业瓜分。

“在所有的电子零部件产品中,内存和闪存芯片的价格波动十分剧烈,有上涨的时候,也有狂跌的时候。这已经成为行业惯例。在早年个人电脑时代,内存价格一天一变。”赵子明解释称,“内存厂商不是菜农,看得很清楚。”

内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子行业“原材料”。如果再将存储器细分,又可分为DRAM、NAND Flash和Nor Flash三种,其中DRAM主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR),两者各占三成,尔必达做的,就是DRAM。

目前,在全球存储器市场,韩国三星和海力士以及美国美光,这三家企业占据了全球90%以上的DRAM市场份额。而在NANDFlash方面,三星、海力士美光的占比也超过了70%,呈现寡头竞争格局。

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行业高度垄断造成的结果,是前三大厂商可以轻易操纵产量和价格,用低价来挤垮竞争对手,或用涨价来谋取暴利。2016年由于全球内存芯片缺货,三星电子营业收入达到809亿美元,利润高达270亿美元。韩国海力士收入142亿美元,美国镁光收入128亿美元。

即便是占了全球移动DRAM内存市场64.5%份额的三星电子,也对外表态,今年第二季度芯片仍将保持较高售价,紧张的供应也将持续。

DRAM领域经过几十年的周期循环,玩家从80年代的40~50家,逐渐减少到了08年金融危机之前的五家,分别是:三星(韩)、SK海力士(韩)、奇梦达(德)、镁光(美)和尔必达(日),五家公司基本控制了全球DRAM供给,终端产品厂商如金士顿,几乎没有DRAM生产能力,都要向它们采购原材料。按照常理来说,格局已经趋稳,价格战理应偃旗息鼓,可惜的是,韩国人并不答应,尤其是三星。

另外,根据相关调研数据显示,2018年国内进口3120亿美元的芯片,其中存储芯片高达1150亿美元。而这1150亿美元的存储芯片中,DRAM和3DNAND芯片高达97%。

而中国厂商深受其害。中国是世界最大的电子产品制造国。2016年,光是中国就是生产了3.314亿台电脑,21亿台手机(其中智能手机占15亿台),1.78亿台平板电脑。与之相对应,2016年,中国进口DRAM产品超过130亿美元。中国需要的存储器芯片9成以上需要进口。国内DRAM产能也掌握在韩国海力士等外资厂商手中。

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三星充分利用了存储器行业的强周期特点,依靠政府的输血,在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候,逆势疯狂扩产,通过大规模生产进一步下杀产品价格,从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产,世人称之为“反周期定律”。在存储器这个领域,三星一共祭出过三次“反周期定律”,前两次分别发生在80年代中期和90年代初,让三星从零开始,做到了存储器老大的位置。但三星显然觉得玩的还不够大,于是在2008年金融危机前后,第三次举起了“反周期”屠刀。

而在很早之前,高启全就认为,韩国控制全球DRAM市占率接近80%、NANDFlash市占率接近60%,长此发展下去韩国将会掌握全球90%的存储器芯片。而解决方法,是让中国成为平衡三星的另一股势力。很显然,这也是其加入紫光集团的重要原因之一。

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为什么存储价格疯涨?

2007年初,微软推出了狂吃内存的Vista操作系统,DRAM厂商判断内存需求会大增,于是纷纷上产能,结果Vista 销量不及预期,DRAM供过于求价格狂跌,加上08 年金融危机的雪上加霜,DRAM 颗粒价格从2.25 美金雪崩至0.31美金。就在此时,三星做出令人瞠目结舌的动作:将2007 年三星电子总利润的118%投入DRAM扩张业务,故意加剧行业亏损,给艰难度日的对手们,加上最后一根稻草。

具体而言,全球DRAM产业经历过两次转移,从上世纪 80 年代的美日间转移,到 90 年代日韩间转移;伴随产业转移,市场多次兼并重组,企业数从 90 年代的 14 家锐减至 5 家左右,随后奇梦达和尔必达破产被并购,DRAM 行业进入三寡头垄断格局。

2015年起,美国镁光(Micron),在新加坡Woodlands投资40亿美元,扩建Fab 10X晶圆厂,主要生产第二代32层堆叠3D NAND闪存。2017年建成后,月产能14万片晶圆,采用16纳米工艺。

如果要说到涨价的根源,这自然还是因为货源的问题惹的祸了;在整个2016年市场NANDFlash供货紧缺,主要受Flash原厂三星、东芝、美光、SK海力士等2DNAND向3DNAND转移的影响,以目前原厂3D技术投产进程而言,预计3DNAND到2017年Q2产能才能释放,在原厂没有大的变动前提下,供应依然比较紧张。

效果是显著的。DRAM价格一路飞流直下,08年中跌破了现金成本,08年底更是跌破了材料成本。2009年初,第三名德系厂商奇梦达首先撑不住,宣布破产,欧洲大陆的内存玩家就此消失。2012年初,第五名尔必达宣布破产,曾经占据DRAM市场50%以上份额的日本,也输掉了最后一张牌。在尔必达宣布破产当晚,京畿道的三星总部彻夜通明,次日股价大涨,全世界都知道韩国人这次又赢了。

三星电子依托韩国政府力量背 后的支持,在行业低谷期多次利用“反周期”定律,加剧行业亏损,迫使同行业企 业破产,最终牢牢占据行业头把交椅。

有钱都买不到——那就自己造吧

除了NAND Flash颗粒的涨价凶猛以外,其实内存颗粒DRAM涨价也不少。相比较于其他的硬件,内存更容易受到上游厂商的影响。内存使用的DRAM主要由几家大公司比如说三星、海力士和镁光所掌控,RAM/NAND的增产和减产对于储存行业来说自然是十分重视的。尤其是目前PC行业不景气,厂商必然会减少DRAM的生产量,而DRAM不单单是给内存用,而U盘、手机ROM也都需要,DRAM的供应就更加紧张。

至此,DRAM领域最终只剩三个玩家:三星、海力士和镁光。尔必达破产后的烂摊子,在2013年被换了新CEO的镁光以20多亿美金的价格打包收走。20亿美金实在是个跳楼价,5年之后,镁光市值从不到100亿美元涨到460亿,20亿美元差不多是它市值一天的振幅。

而在NAND Flash方面,目前三星、东芝、闪迪、美光及SK海力士五大巨头几乎垄断全球市场。由于五家巨头份额差距较小,因此NAND Flash行业的竞争较为激烈,各家企业聚焦新技术的研发。

在外资厂商故意操纵下,华为、中兴、小米、联想等中国手机、PC厂商,经常遇到DRAM缺货情况。而在中国国内,仅有中芯国际具备少量DRAM产能,根本无法实现进口替代。更严重的事例还有:2016年3月,美国政府下令制裁中国中兴通讯,禁止美国厂商给中兴提供元器件。这种情况简直让人不寒而栗。2017年4月,华为手机爆出闪存门事件。事情的根源,实际就是华为手机用的NAND Flash内存严重缺货。

这一波儿“凭本事涨价”也让闪存厂商开始扭亏为盈。美光在12月下旬公布了截止到2016年12月1日的2017财年第一季度财报,受益于DRAM和NAND市场需求强劲及价格上涨的因素,季度营收优于预期,取得了不错的成绩,也是2016年首次盈利。

举国之力扶持一个领域,从积弱到反超,中国体育只能算入门级,韩国人才是祖师爷。

但是从存储三大巨头来看,三星、SK海力士和美光都是横跨DRAM和NANDFlash两大产品系列。其背后原因是,DRAM和NANDFlash在芯片技术、销售周期、应用领域、设备和产能配置上,具有很强互补效应。而这也是紫光集团此次针对DRAM事业重新调整的重要原因。

怎么办呢?有钱可以买吧?2015年7月,中国紫光集团向全球第三大DRAM厂商,美国镁光科技,提出230亿美元的收购要约。结果被镁光拒绝了,理由是担心美国政府,会以信息安全方面的考虑,阻挠这项交易。

另外,2016年NAND Flash市场缺货,2017年上半年市场供应也不会有太多的缓解,而三星是NAND Flash最大的供应商,2017年上半年三星新的Fab17/Fab18工厂都将投入生产,同时Memory和面板价格双双走强,都将给三星营收利润带来成长动力。

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那就自己造吧。于是从2016年起,中国掀起了一场DRAM产业投资风暴。紫光集团宣布投资240亿美元,在武汉建设国家存储器基地(武汉新芯二期12英寸晶圆DRAM厂),占地超过1平方公里,2018年一期建成月产能20万片,预计到2020年建成月产能30万片,年产值超过100亿美元。计划2030年建成月产能100万片。福建晋华集团与联华电子合作,一期投资370亿元,在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂,2018年建成月产能6万片,年产值12亿美元。规划到2025年四期建成月产能24万片。合肥长鑫投资494亿(72亿美元),2018年建成月产能12.5万片。

虽然内存涨价让上游厂商赚到了钱,不过他们对未来的估计反而偏向保守,并不会大规模扩产,更注重强调改善营收。DRAMXchange预计2017年DRAM内存供应量只会增长19%,远低于之前20%甚至30%的增幅。一方面是供应增长只有19%,另一方面是市场需求增长超过22%,内存市场供不应求的情况更加严重了,未来涨价趋势恐怕还会持续。

2012年初尔必达破产之后,DRAM颗粒价格并没有马上涨起来,而是继续盘整到了下半年,之后价格才开始飙升。到了2013年10月份,DRAM价格已经比尔必达破产时的价格整整高了一倍。三家寡头在2013-14年过了两年好日子,在15年又开始重新一波扩产,造成了短暂的供过于求,DRAM价格又开始了一轮下跌,一直跌倒2016年年中,但这次下跌,对三个寡头来说,远远没到伤筋动骨的地步。

全球存储器市场趋势预测(资料来源WSTS,新时代证券研究所制图)

2017年1月,紫光集团宣布投资300亿美元(约2000亿人民币),在江苏南京投资建设半导体存储基地,一期投资100亿美元,建成月产能10万片,主要生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。

内存红利即将结束

2016年下半年,新投放的产能已经消化的差不多,而市场的需求还在快速增长。DRAM产能之前有三成供给手机,而随着手机厂商在内存上打起了“军备竞赛”,接近60%的DRAM产能被手机吃掉,尤其到了手机备货旺季的三季度,DRAM全面缺货,价格不断跳涨,PC用的内存条也就跟着水涨船高,摇身变成了“理财产品”。

另一方面,存储器行业是一个周期性很强的领域,需要长期持续的不断投入。从市场表现来看,虽然从2018年下半年开始,全球存储器市场急转直下,但是预计在2019年仍呈现上升趋势。更大的市场需求,也使得起步较晚的紫光集团有了生存下去的前提。

上述四个项目总投资超过660亿美元(4450亿元人民币)。确实有点疯狂。

虽然近几年来,由于以上原因,内存的价格出现了大幅度的增长,但是一直以来,存储圈内都有这样几种说法:《闪存取代传统机械硬盘将指日可待?》、《SSD走下高端向主流?》、《闪存将成未来存储发展趋势》等等,在众说纷纭中。毫无疑问,大家对闪存都寄予厚望。

最近,有这么一个段子:“2016年开网吧,买了DDR4 8g内存条400多根,一根180快块钱。今年2017年,网吧赔了10多万,昨天我把网吧电脑全卖了,二手内存条卖500一根,居然赚回了我开网吧的钱。”

对此,高启全也谈到:“过去很多厂商习惯先预测价格,然后决定研发投入力度,但这些公司大部分都死掉了。未来十年之内,我们只看技术和市占率,不应该去看价格。”

但是只要认真研究过去半个世纪,世界DRAM产业的发展历史,就会让人看清一件事情。

在涨价之前的一段时间,闪存不断降价的现象似乎让这种预言更接近现实。

段子不知真假,但内存条的涨价,已有疯狂的态势。目前一根DDR4  8G台式机内存,已经 涨到了900元,而在2016年年中,同样的产品才卖200元左右。有微博网友算了一下,目前一根入门级DDR4 16G内存 =28英寸4K显示器 = I5处理器主板套装 = 512GB 960EVO固态 =索泰超频GTX1060显卡。如果再这样涨下去,恐怕连《绝地求生》都玩不起了。

紫光集团发力存储的决心,可见一斑!

——拿钱砸死对手,少砸一点就会死!不相信的都死了!

近日,外媒的一篇报道引起了笔者的注意,文章中对于这种预测进行了证实。

除了DRAM之外,存储器另外一个领域NAND Flash,也面临类似的情况。NAND Flash市场的玩家,有三星、东芝/闪迪、美光、SK 海力士,四家总共占市场99%份额。相比DRAM市场,多了一个东芝/闪迪。NAND Flash主要用在两个领域,一个是手机的闪存,另外一个是固态硬盘SSD,这两个领域,都是飞速增长的领域,带动NAND价格也一路飙升。

——End ——

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根据外媒资料显示,Gartner半导体研究总监on Erensen预测:2018年,SSD内存和NAND闪存的价格将开始逐渐下滑。但是,在2019年,价格将大幅下滑。

Nor Flash市场比较特别,虽然价格也在涨,但逻辑却不太一样。在功能机时代,手机对内存的要求不高,Nor Flash凭借着NOR PSRAM的XiP架构,得到广泛应用。但到了智能机时代,大量吃内存的APP涌现,NOR的容量小成本高的缺点就暴露无疑,逐渐被NAND给取代,市场不断萎缩,三星、镁光、Cypress等公司都逐步退出NOR市场。

2016年6月,美国IBM实验室的研究人员Janusz Nowak,向记者展示新型的磁性储藏器(STT-MRAM)12寸晶圆。磁性内存既有DRAM和SRAM的高性能,又有闪存的低功耗和低成本,被认为具有竞争下一代内存的潜力,但是还存在很多问题。

同时,PC和移动设备的价格可能会受到影响。但是,Erensen表示,现在预测NAND和DRAM价格下崩对PC和移动设备的确切影响为时尚早。

但就在各大厂商关停Nor产线的同时,Nor却迎来了第二春。最主要的是AMOLED屏幕需要带一块Nor Flash来做电学补偿,AMOLED显示屏的渗透率正在加速,尤其是苹果采用了之后,所以Nor的需求就一下子被带动起来。然而,镁光等公司已经把一只脚迈出去了,也懒得再重新开产线,导致市场的Nor供应有限,一群小厂商因此受益,如台湾的旺宏、华邦,以及大A股的明星兆易创新。

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如果价格下降,互联网用户可以在现成的时间内获取元件并在家中构建个人电脑。但是,预制设备的价格最终取决于PC制造商如何利用更便宜的组件定价节省成本。

应该说,Nor市场太小,存储器主要战场还是在DRAM和NAND上,而这两个领域的格局已经很稳固,三星、镁光、海力士,外加一个四处卖身的东芝。三星要想再通过“反周期定律”消灭对手,已经很难了,既然无法消灭对手,自损八百的自杀式冲锋就不会再重现。最大的可能是:存储器价格随着供给/需求的变化而进行短周期波动,但行业将长期维持暴利状态。

2017年6月,韩国三星电子宣布,开始在平泽工厂(Fab18),批量生产64层堆叠的256Gb第四代TLC V-NAND内存产品。三星目前V-NAND占整体NAND Flash产能的70%以上,拥有500多项专利。

PC和移动设备的价格有可能回落,这已经是十多年来的大趋势。但是一些公司可能选择利润而不是将储蓄转移给买家,就像苹果路数一样。

问题在于,这么赚钱又好玩的局,怎么能少了我们中国人?

还有一种可能:移动设备和PC价格也可能保持高位,但是买家应该获得更多的套餐选择。对于相同的价格,服务器本身将会拥有更多的内存,更多的存储和更高分辨率的屏幕。

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根据Gartner的说法,自2016年下半年以来,PC 、DRAM价格翻了一番。一个4GB的内存从去年中的12.50美元上涨到25美元。随着NAND闪存价格的上涨,SSD的每千兆字节成本以惊人的速度上涨。 Gartner预测,NAND闪存和DRAM的定价将在本季度达到顶峰。

在尔必达2012年破产的那个早春,紫光的赵伟国正在福建莆田搞一个叫做萩芦山庄的地产项目,存储器领域的巨变,似乎与他无关。恐怕他自己都不会想到,5年后,他会喊出“10年内成为全球存储器行业前五”的口号。

价格暴跌已成必然?

但情况在第二年就有了变化。2013年,紫光并购展讯,第一次将脚踏进了半导体领域,2014年,在没有发改委“小路条”的情况下,又从浦东科投手中抢来了锐迪科。赵伟国将两家企业塞进一个控股公司中,起名为“紫光展锐”,并顺利拉来了Intel的15亿美金的入股,投后估值75亿美元。相比收购两家公司花的27亿美元,赵伟国赚了他发家后最大的一桶金。

47年来DRAM芯片市场的生死搏杀,韩龙头企业面临地动山摇。Gartner的预测与联想公司的规划不谋而合,联想已重新考虑高端个人电脑的定价。 HP已经设法吸收了更高元件的成本,但是该公司正在转向高价位产品,试图选择盈利而不是数量, HP公司个人系统业务总裁Ron Coughlin表示。

紫光完成收购锐迪科的2014年,行业里的空气突然变得炽热和躁动,但极少人会意识到,2014年会被后人称为中国半导体“元年”。在这之前,十几位院士专家上书中央,要求国家倾力支持半导体发展,并获得来自最高层的积极回复,到了9月份,规模达千亿的国家级基金挂牌成立,在接下来的三年中,它将彻底改变中国乃至全球半导体行业的生态。

据了解,当供应商开始在产品中设置更大的内存和存储时,DRAM和NAND闪存的供应量就会上升。比如苹果公司为Mac,iPhone和iPad增加了更多的内存和存储空间。像三星等其他厂商就是这样,而一个版本的即将推出的Galaxy S8 手机将拥有128GB的存储容量和6GB的内存,这些笔记本电脑与许多薄型笔记本电脑相匹配。

每年进口数百亿美金、国产化近乎为零的存储器行业,自然首先进入到了各路资本的视野中来。但即使跋扈如赵伟国者,也不敢直接对站在无数尸体上的三星海力士发起挑战,而是采取迂回方式,对实力偏弱的镁光发起了要约收购,报价230亿美金,溢价19%。假如收购成功,按照镁光昨天的收盘价,镁光市值超过460亿美元,这笔交易浮盈将超过一倍。

此外,虚拟现实和游戏等应用正在促使厂商向设备添加更多的存储和RAM。一个稳定的PC市场也在推动对DRAM和SSD的需求。

这并非是中国资本第一次试图收购海外半导体公司。早在2012年,联想系的弘毅投资曾经联合TPG,竞购破产后的尔必达。如果收购成功,对于缺乏核心技术和零部件的联想来说意义重大,可惜功亏一篑。自此,弘毅再也没有围绕着联想系的主业做产业链并购的尝试,而经常跃入眼球的投资案例,是Pizza Express和西少爷肉夹馍。

Erensen进一步指出,手机,个人电脑和IoT物联网设备也在生成更多的数据,从而在存储云数据的服务器中对闪存的需求增加。数据分析和机器学习也引发了对数据中心更多内存和存储的需求。

紫光对镁光的要约收购,毫无悬念地被美国政府挡了回来,赵伟国也并没有赚到200亿美金的浮盈。当然,镁光还多此一举,向外界保证“三年内不会在大陆建立晶圆厂”,这无疑激怒了掌握巨额资金的赵伟国们,既然走捷径不成,那只能自己从头做。于是,长江存储、合肥长鑫、福建晋华三大存储器项目破土动工,长江南北一片大干快上赶英超美的架势。

因此,需求的增长导致RAM和存储的最终短缺,从而使得制造商和供应商有较高利益所得。但是,高需求将最终促使制造商提高工厂的产能以产生更多的内存和存储空间。 Gartner预测,到2019年,市场将充斥着DRAM和NAND闪存,价格将会下降。

三星的“反周期定律”在别的国家可能很难被复制,但在大陆这里,只会被玩儿的更加纯熟。例如,三星和LG通过反周期投资,成功的将日本面板产业打垮,大陆政府有样学样,通过多年的输血和补贴,终于拿钱砸出了一个京东方。因此,在存储器领域,大陆也有了道路自信,但相较于面板行业,存储器项目技术门槛更难,面临的对手也更强大。

根据以往的经验而言,DRAM和NAND闪存供应商每隔几年的一个周期,这使得市场极度波动。 2011年DRAM价格暴跌,电力供需过剩,PC需求放缓以及全球经济下滑的影响。

针对火热的行情以及大陆资本的进入,三星海力士镁光已经启动了新一轮的扩产,在这一轮暴涨中,这些公司也储备了足够多的粮草和弹药,来欢迎新的玩家的进入。可以预见的是,大陆存储器项目达产之日,就是内存再次杀到现金成本甚至材料成本的日子,这个时间可能会是在2019年左右。届时,现在抱怨内存条太贵没法流畅吃鸡的同学,不妨多买几根屯着。

扩充产能已经来临

以前有人揭示过一个规律:很多产业,首先被美国人发明出来,美国人赚了一波钱后,产业基本上就在日本、韩国、大陆、台湾这四个地方转圈。这四个玩家如同在打一桌麻将,互相斗的吐血,但却轮流胡牌,最后反而把麻将圈外全世界人的钱给赚走了。这条规律最适用的,恐怕就是电子行业。

从今年来各大厂商的种种措施我们不难看出,内存正在随着以上所述的价格和市场变动发生变化。

回到本文的开头,尔必达的末代社长坂本幸雄,在尔必达破产后做了两件事情,一是写了一本书,叫做《非情愿的战败》,书名反映内容。二是来到了中国,试图利用中国的资金东山再起。坂本幸雄成立了一家叫Sino King Technology的DRAM设计开发公司,Sino=中国的,King=王,SKT在中国找的第一个合作方,就是斥资72亿美元的合肥长鑫存储器项目。但显然,手握资本的地方政府,已经过了对外国专家言听计从的年代,在本土人才崛起、海外人才流入的大背景下,70岁的坂本幸雄,代表日本最后一代半导体人才,恐怕未必会是他们的首选。

首先是随着供需不平衡带来的各大厂商纷纷扩充产能的措施。

所以,无论是产业的命运,还是国家的命运,是偶然也是必然,是周期也是轮回,中日韩三国的产业恩怨,还没有翻到结束的那章。

早在今年年初,在三星还深陷NOTE 7爆炸丑闻的时候,美光位于台中市的晶圆厂计划扩大1Xnm DRAM芯片的产能,并在今年Q2前提高到50%以上比例。

放眼其他厂商,三星背负着Note 7召回的损失需要止血、SK海力士跟着同胞带节奏、西数闪迪刚刚尝到SSD的甜头、东芝更是因为核电几十亿美元的亏损要卖身……

此外,随着三星逐渐走出炸机丑闻,上月底三星公布的最新财报显示,营收只增加1.5%的情况下净利润大增46%,其中贡献最多的就是闪存芯片部门,也就是DRAM内存和NAND闪存。

时至今日,DRAM、NAND闪存缺货、涨价的情况都没有缓解,现在还是供不应求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能,其中三星也要斥资26.4亿美元扩产Line 17工厂,下半年加速10nm级DRAM内存生产。

三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工,那个是针对NAND闪存的,主力产品将是64层堆栈的3D NAND闪存。而在DRAM领域,三星也有新的投资计划,韩国ETNews报道称三星已经通知设备供应商要扩大韩国华城市(Hwasung)的Line 17工厂,预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间,约合22-26.4亿美元。

以300mm晶圆计算,扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆,目前的产能约为4万片晶圆/月。

三星这次扩展Line 17工厂产能的主力产品是10nm级DRAM内存,预计下半年加速生产。

三星投资扩大DRAM产能是件好事,考虑到他们是全球最大的DRAM供应商,三星此举有助于推动DRAM市场供应平衡,虽然说DRAM再度降价还是很遥远的事。

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国内厂商也在跟进

另外,随着紫光公司巨资建设晶圆厂,国内厂商介入NAND、DRAM领域也为期不远了,尽管他们与三星、SK Hynix等巨头还有很大差距,不过这对市场来说是个利好,多点竞争总是好事。

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从上图不难看出,从2016年开始,受iPhone 7上市以及国产智能手机市场需求畅旺的影响,2016年第四季度,全球智能手机产品出货量持续攀升。同时,各移动智能终端产品的内存搭载容量不断提升,使得DRAM市场依然延续此前供不应求的态势,内存价格全面上涨。

从各大厂商营收排名情况来看,三星、SK海力士和美光三大DRAM厂营收持续飙升,占据市场前三的位置,而台湾地区厂商南亚科、华邦电和力晶科技则分别排名第四至第六名。

作为中国半导体产业的龙头厂商,紫光集团战略布局的脚步似乎比人们想象中的要更快。今年2月12日,继武汉长江存储基地项目开工之后,紫光又一“航母级”项目——南京半导体产业基地项目正式动工。

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47年来DRAM芯片市场的生死搏杀,韩龙头企业面临地动山摇。该基地项目位于南京市江北新区浦口经济开发区,总投资金额达300亿美元,占地面积约1500亩,首期投资约100亿美元,预计月产能为10万片,项目完工后将主要用于生产3D NAND和DRAM等存储芯片。

按照紫光集团的规划,该项目未来将以存储芯片及存储器尖端制造环节为突破口,集存储产品设计、技术研发、生产制造、销售于一体,可带动设计、制造、封装、测试等集成电路产业链的发展。

另外,与该基地项目同一天开工的,还有同样由紫光集团主导,投资约300亿元人民币的IC国际城项目,其内容涵盖科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等综合配套设施。

总结

业内认为,目前产能不足,出货量跟不及需求增速导致存储芯片价格上涨。在存储器芯片市场中,三星、镁光、海力士等五家外资企业占据了90%以上市场份额,内存厂商当前产能扩充及出货量提升幅度都非常保守,存储芯片供不应求的局面料将延续。

从2014年开始,中国市场将在未来十年内花费1500亿美元来扩大其半导体容量。2016年,紫光集团收购武汉长江芯片公司,以加速存储器国有化更证实了这一点,未来,中国制造的闪存和内存芯片可能会在全球泛滥,价格可能会下降。在中国半导体市场保证供应的同时,并在使得全球规模迅速增长。

但是也应当明白的是,随着内存产能的逐渐扩充,内存价格疯涨的红利即将结束,价格下跌也是未来必将面对的趋势。如果能够把握好内存市场的发展循环,或许能够迎来中国制造的闪存和内存芯片占领市场的大好时机,以及中国企业缩小与世界厂商的大好时机!

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